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關(guān)注:289
供應(yīng)石久SiO2二氧化蒸發(fā)顆粒 硅
產(chǎn)品品牌
石久
規(guī)格型號:
按客戶要求定制
發(fā)貨期限:
訂貨起7日內(nèi)天
庫 存:
1000
產(chǎn) 地:
中國-北京市
二氧化硅,高純二氧化硅顆粒,二氧化硅靶,二氧化硅蒸發(fā)材料,鍍膜專用二氧化硅
化學(xué)符號:SiO2
沸 點(diǎn):2230℃
純 度:4N
規(guī) 格:1-4mm,顆粒,靶材
分 子 量:60.08
外 觀:白色
熔 點(diǎn):1700℃
密 度:2.2-2.7g/cm3
在10-4Torr真空下蒸發(fā)溫度為:1025℃
透 明 區(qū)/nm:200-8000
相對介電常數(shù):3-4
擊穿電壓/V?cm-1:106
厚 度μm:0.03-0.3
沉積技術(shù):反應(yīng)濺射
折 射 率(波長/nm):1.46(500)
1.445(1600)
線膨脹系數(shù)/℃-1:5.5×10-7
蒸發(fā)方式:電子束
性 能: 可用鉭舟加熱蒸發(fā),也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發(fā),但由電阻加熱蒸發(fā)會產(chǎn)生分解,由電子束加熱蒸發(fā)效果很好;不溶于水和酸,但溶于氫氟酸;其微粒能與熔融堿起作用;
應(yīng) 用: 二氧化硅用途廣泛,主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。
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二氧化硅,高純二氧化硅顆粒,二氧化硅靶,二氧化硅蒸發(fā)材料,鍍膜專用二氧化硅
化學(xué)符號:SiO2
沸 點(diǎn):2230℃
純 度:4N
規(guī) 格:1-4mm,顆粒,靶材
分 子 量:60.08
外 觀:白色
熔 點(diǎn):1700℃
密 度:2.2-2.7g/cm3
在10-4Torr真空下蒸發(fā)溫度為:1025℃
透 明 區(qū)/nm:200-8000
相對介電常數(shù):3-4
擊穿電壓/V?cm-1:106
厚 度μm:0.03-0.3
沉積技術(shù):反應(yīng)濺射
折 射 率(波長/nm):1.46(500)
1.445(1600)
線膨脹系數(shù)/℃-1:5.5×10-7
蒸發(fā)方式:電子束
性 能: 可用鉭舟加熱蒸發(fā),也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發(fā),但由電阻加熱蒸發(fā)會產(chǎn)生分解,由電子束加熱蒸發(fā)效果很好;不溶于水和酸,但溶于氫氟酸;其微粒能與熔融堿起作用;
應(yīng) 用: 二氧化硅用途廣泛,主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。