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    包郵 關(guān)注:217

    硒化鎵靶材 三硒化二鎵靶材 Ga2Se3

    產(chǎn)品品牌

    CNBM

    庫       存:

    20

    產(chǎn)       地:

    中國-四川省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    面議
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     長期提供各種靶材,用于磁控濺射工藝制備 銅銦鎵硒(CIGS薄膜)  碲化鎘(CdTe薄膜各種化合物濺射靶材
    (聯(lián)系人:冉松林,電話:13541048799,郵箱:semisales@163.com,QQ122686839

     

    一,四元合金靶材:CIGS 靶材 

    1,常規(guī)原子比:1:0.7:0.3:2或者 1:0.8:0.2:2(客戶亦可根據(jù)自身工藝制訂原子比例)

    技術(shù)對接:CVD合成四元合金(高精分析天平稱量,各種元素的配比公差低于百萬分之一)--氮氣保護下研磨制粉–HP(熱壓)--檢驗—打磨,拋光。 

    2,檢驗:ICP-MS;XRD 

    通過ICP-MS 檢測雜質(zhì)含量:5N的CIGS 靶材的雜質(zhì)元素總和小于10ppm. 

    通過XRD衍射:CIGS 具備閃鋅黃銅礦結(jié)構(gòu)。(可提供檢驗報告(見下)和樣品)。 

    3,靶材致密度:大于93%。 

    4,服務(wù):可免費提供導電玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客戶最后的硒化工藝,因為磁控濺射CIGS的過程中有硒的流失。 

    5,安全防護措施:提供MSDS及濺射過程中的必要防護。 

    二,三硒化二銦(In2Se3)靶材;三硒化二鎵(Ga2Se3)靶材,硒化亞銅(Cu2Se),或者硒化銅(CuSe)靶材 

    技術(shù)對接:CVD 合成二元合金–HP(熱壓)--檢驗—打磨,拋光。

    三,銅鎵(CuGa);銅銦(CuIn);銅鎵銦(CuGaIn)靶材 

    *配方原子比例:客戶可自選,我方亦可以提供常規(guī)原子比例。

    四,銅(Cu)靶;銦(In)靶,硒(Se)靶 

    技術(shù)對接:澆鑄 

    五,CIGS 配套靶材 

    N型:硫化鎘(CDS)靶,硫化鋅(ZnS)靶,硒化鋅(ZnSe)靶。 

    氧化鋅鋁(AZO)靶,鉬(Mo)靶 

    1,由于硫化鎘有毒,所以硫化鋅,硒化鋅靶為其替代品。試驗表明硒化銦也有此屬性。 

      2,硫化鎘,硫化鋅,硒化鋅制備工藝:CVD 高純氬氣攜帶金屬蒸汽(鎘,鋅蒸汽)進入反應室與過量的H2S,H2Se 氣體氣相沉積而成。

    六,碲化鎘(CdTe)靶材;硫化鎘(CdS)靶材;

     高致密,高純度

    碲化物靶材:碲化鉍(Bi2Te3)靶材;碲化銻(Sb2Te3)靶材;碲化鋅(ZnTe)靶材;碲化銅(CuTe)靶材;碲化鉛(PbTe)靶材;碲化銦(InTe)靶材;碲化鎘(CdTe)靶材等

    硒化物靶材:硒化鉍(Bi2Se3)靶材;硒化銅(CuSe)靶材;硒化鉛(PbSe)靶材等

    銻化物靶材:銻化銦(InSb)靶材;銻化鎘(CdSb)靶材;銻化鋅(Zn4Sb3)靶材等

    硫化物靶材:硫化鋅(ZnS)靶材;硫化銦(In2S3)靶材;硫化鎘(CdS)靶材;硫化鉍(Bi2S3)靶材等

    氧化物靶材:氧化鋅(ZnO)靶材;氧化鎵(Ga2O3)靶材;氧化銦(In2O3)靶材等

    氮化物靶材:氮化銦(InN)靶材;氮化鎵(GaN)靶材

     

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