我公司可為客戶訂制不同參數(shù)的二氧化硅氧化片,質(zhì)量?jī)?yōu)良;氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數(shù)均按照國(guó)標(biāo)執(zhí)行。另:我司代理LPCVD PECVD 鍍膜氧化等工序歡迎來(lái)電咨詢及加工;
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下,給過程稱為熱氧化。通常生長(zhǎng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度,使用濕法或者干法的生長(zhǎng)方法。熱氧化物是一種生長(zhǎng)的氧化物層。相對(duì)于CVD法沉積的氧化物層,它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個(gè)極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中,熱氧化層都扮演著非常重要的角色,以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應(yīng)用范圍:
1,刻蝕率測(cè)定
2,金屬打線測(cè)試
3,金屬晶圓
4,電性絕緣層