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用 途 |
同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體、半導(dǎo)體光刻. |
產(chǎn)品尺寸 |
300mm/12" |
表面處理 |
DSP雙面拋光、SiO2/EPI/SOI/金屬等 (具體要求詳談) |
生長方式 |
CZ直拉 |
厚 度 |
700-800μm (具體要求詳談) |
摻雜類型 |
P /硼 、N/砷、磷、銻 (具體要求詳談) |
晶 向 |
<111>/<100> (具體要求詳談) |
電 阻 率 |
0.0001-10000(Ω·cm) (具體要求詳談) |
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