服務(wù)熱線
4001027270
用 途 |
同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測(cè)試基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線分析晶體、半導(dǎo)體光刻 |
產(chǎn)品尺寸 |
125mm/5" |
表面處理 | SSP單面拋光、DSP雙面拋光、Lapping雙面研磨、SiO2/EPI/SOI等 (具體要求詳談) |
生長(zhǎng)方式 | CZ直拉、FZ區(qū)熔 (具體要求詳談) |
厚 度 | 180-1000μm (具體要求詳談) |
摻雜類型 | P /硼 、N/砷、磷、銻 (具體要求詳談) |
晶 向 | <111>/<100> (具體要求詳談) |
電 阻 率 | 0.0001-10000(Ω·cm) (具體要求詳談) |
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