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    二維合金

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-晶體-其他類(lèi)晶體

    庫(kù)       存:

    10

    產(chǎn)       地:

    全國(guó)

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:

    型號(hào):

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-晶體-其他類(lèi)晶體

        1、BiTlTe(鉍碲化鉈)晶體
    第一個(gè)BiTlTe(鉍碲化鉈)晶體。BiTlTe是具有前瞻性熱電和拓?fù)湫再|(zhì)的未開(kāi)發(fā)的層狀材料

     產(chǎn)品亮點(diǎn):

    1. 100%單相材料

    2. 環(huán)境穩(wěn)定:碲基材料缺陷的存在會(huì)明顯地減少壽命。我們的產(chǎn)品具有最少的缺陷(1點(diǎn)缺陷/ 1E5單胞),因此我們的產(chǎn)品是環(huán)境穩(wěn)定的,不需要復(fù)雜的存儲(chǔ)條件。

    3. 尺寸晶體超過(guò)5mm足以保證1的有效剝離時(shí)間。 

    4. 獨(dú)的大尺寸區(qū)域(約100微米或更大),允許大尺寸單層片材的剝離。

    5. 純度:我們的產(chǎn)品具有99.9999%或更高的純度保證,您能夠真實(shí)地研究分層材料的固有特性。

    6. 100%客戶滿意度

    7. 剝離:樣品清潔,完美面向0001。樣品可以進(jìn)行剝離,而不用擔(dān)心表面氧化,表面隱藏相及表面污染物。

    2、BiTlTe
    (鉍碲化鉈)晶體

    具有TlGaSe2化學(xué)式的新型層單硫族化合物。通過(guò)將Tl加入GaSe并合金化成而形成Tl0.5Ga0.5SeTlGaSe2,帶隙1.95eV。具有可剝離的層結(jié)構(gòu)。
    3、
    TlInS2

    具有化學(xué)式TlInS2新型層狀單硫族化合物。通過(guò)將Tl加入InS中一起合金化成而形成Tl0.5In0.5STlInS2,得到帶隙2.1eV半導(dǎo)體材料。它具備可剝離的層結(jié)構(gòu)。晶體尺寸范圍在5mm-1cm。
    4、CuFeTe

    二維超導(dǎo)體的新維度研究:CuFeTe是層狀材料中Tc溫度最高的獨(dú)特材料。Cu原子完全嵌入FeTe主體中。合金不分離,意味著FeCu原子隨機(jī)分布在整個(gè)晶體中。Cu濃度設(shè)定為50%(Cu1Fe1Te
    5、
    FeTeSe

    二維材料的單層超導(dǎo)性未被探索。FeTeSe被認(rèn)為是最簡(jiǎn)單的鐵基超導(dǎo)體材料。晶體結(jié)構(gòu)由FeTeSe層的連續(xù)堆疊組成,其中鐵原子的正方形格子層夾在兩個(gè)兩倍于Pbnn空間組合的鍵合硫族原子的稀疏層。晶體與其層狀材料相似,如石墨,石墨烯,MoS2等,具有弱層間耦合作用。據(jù)報(bào)道,FeTeSe單層在65K>會(huì)變成超導(dǎo)體 (Nature Materials 2013 doi:10.1038 / nmat3654)

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