硫化鎢硒(WSSe)晶體
經(jīng)過4年的長時(shí)間優(yōu)化,我們?yōu)槟峁┎煌煞址秶鷥?nèi)最高品質(zhì)和完美化學(xué)計(jì)量比的WS2xSe2(1-x)材料。 大單晶無缺陷的硫化鎢硒[WS2xSe2(1-X); x = 0.1,0.3,0.5,0.7,0.9]晶體是半導(dǎo)體級(99.9995%或更高)層狀材料,不必?fù)?dān)心非晶相,缺陷或污染。 它們呈現(xiàn)完美層狀結(jié)構(gòu),是剝離具有高的大單層產(chǎn)率的理想選擇。我們提供詳細(xì)的技術(shù)援助,以獲得100%單層生產(chǎn)率。
SbAsS?晶體
我們的最新材料:Sb2xAs2(1-x)S3具有由Sb-Sb-S3原子組成的完美的1:1:3化學(xué)計(jì)量比。經(jīng)過一年的34次生長試驗(yàn),具備單晶尺寸大,最小的缺陷密度(10萬個(gè)單胞中的1個(gè))和完善的純度(99.9998%)。硫化銻硫化物(SbAsS3)是帶隙約1.7e的直接帶隙半導(dǎo)體材料。與二硫化鉬類似,它具有弱層間耦合作用的層狀結(jié)構(gòu),可剝離成單層。單層厚度為0.8nm,單層SbAsS3在實(shí)驗(yàn)和理論上未被發(fā)現(xiàn)。晶體尺寸范圍在5-8mm,顯示出卓越的PL特性。
晶體生長周期為8周,顯示出高結(jié)晶度。拉曼光譜顯示半峰高寬FWHM小于6cm-1
請?jiān)谟嗁彆r(shí)指定您的x值
空間群:P21 / c
分層:是/剝離到單層
帶隙:?1.7 eV
純度:半導(dǎo)體級(6N)99.9999%
生長技術(shù):物理氣相傳輸 - 持續(xù)時(shí)間:2個(gè)月
樣品尺寸:5-10mm
ReNbSe?晶體
鈮原子完全嵌入ReSe2主體中。合金不相分離,意味著Nb和Re原子隨機(jī)分布在整個(gè)晶體中。鈮的組成從0.1%到3%的不等。請?jiān)谟嗁彆r(shí)指定Nb的百分比。
二硫化鎢鉬(MoWS?)晶體
我們已經(jīng)研發(fā)出大的無缺陷單晶二硫化鎢鉬(MoxW(1-x)S2)晶體,它們具有x = 0.1,0.3,0.5,0.7和0.9的化學(xué)計(jì)量比。由于它們是半導(dǎo)體級(99.9995%的純度和完美的化學(xué)計(jì)量比),無需擔(dān)心非晶相,缺陷或污染。晶體尺寸大,可剝離成大單層,單層產(chǎn)率高。
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