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產(chǎn)品描述

單層MoS₂生長(zhǎng)在SiO₂ / Si襯底上。其中包含在SiO₂ / Si襯底上隨機(jī)分布的單層MoS₂三角形薄片。雖然一些區(qū)域通過聚結(jié)MoS₂三角形薄片能獲得連續(xù)的薄膜，但用于高級(jí)光譜，顯微和電子測(cè)量技術(shù)的則是獨(dú)立的三角形薄片。合成的三角形單層MoS₂薄片是高度發(fā)光的，拉曼光譜也證實(shí)了其單層特性。與生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的MoS₂三角形相比，該三角形單層MoS₂晶體的發(fā)光更加明顯。

示例屬性

樣品尺寸	1cm x 1cm正方形
襯底類型	熱氧化物（SiO₂ / Si）襯底
覆蓋率	隔離和部分合并單層三角形
電學(xué)性能	1.85 eV直接帶隙半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)	六角相
原胞參數(shù)	a = b = 0.313nm，c = 1.230nm，α=β= 90°，γ= 120°
生產(chǎn)方式	常壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）
表征方法	拉曼，光致發(fā)光，TEM，EDS

規(guī)范

· 識(shí)別。轉(zhuǎn)移到SiO₂ / Si襯底上的各自分離的MoS₂單晶S。

· 物理尺寸。一厘米大小?？筛鶕?jù)要求提供高達(dá)2英寸的晶圓尺寸。

· 平滑度。表面粗糙度<0.1-0.2nm。

· 均勻性。高度均勻的表面形態(tài)。MoS₂三角形分散在樣品上。

· 純度。通過納米SIMS測(cè)量確定純度99.9995％。

· 可靠性。可重復(fù)拉曼和光致發(fā)光響應(yīng)。

· 結(jié)晶度。高結(jié)晶質(zhì)量，拉曼響應(yīng)和與單晶單層薄片相當(dāng)?shù)墓庵掳l(fā)光。

· 基質(zhì)。SiO₂ / Si襯底，但我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)可以將MoS₂三角形轉(zhuǎn)移到各種襯底上，包括PET和石英，而不會(huì)對(duì)材料質(zhì)量造成重大影響。

· 支持。我們提供全面的技術(shù)支持，并保證老客戶滿意。

· 缺陷分布。三角形單層MoS₂晶體沒有刻意的摻雜劑或缺陷。然而，我們的技術(shù)人員可以使用轟炸技術(shù)產(chǎn)生有缺陷的MoS₂。

SiO2 / Si襯底上單層MoS2三角形

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