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    單晶硅片 賽維LDK

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-硅襯底

    產品品牌

    賽維

    庫       存：

    100

    產       地：

    中國-江西省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    客服電話：4001027270

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    品牌：賽維

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-硅襯底


    單晶硅片 賽維LDK

    我們於2009年3月開始生產單晶硅片。我們研發(fā)出了一系列加工工藝來縮減生產流程中每個環(huán)節(jié)的生產成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環(huán)利用料漿和增加產能等等。

    賽維LDK太陽能采用最先進的大容量單晶提拉設備，不僅使生產極具成本效益，而且可達到業(yè)界最高質量標準。通過嚴格的檢查標準之后，利用鋼絲方邊刨床對單晶棒進行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術，通過鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過專有清洗工藝來清洗和干燥硅片，并進行檢查以確保達到客戶嚴格的特性和表面質量要求。最后，檢查硅片質量，封裝成箱并發(fā)往客戶或本公司電池生產廠。

    技術規(guī)格

    單晶硅片
    156 mm x 156 mm
    一般特征 參數(shù)
     產品  單晶硅片
     晶體生長方法  CZ
     導電類型  P型
     摻雜劑  硼
     電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm
     氧含量  ≤ 1 × 10 18 atoms/cm 3
     碳含量  ≤ 1 × 10 17 atoms/cm 3
    結構特征 參數(shù)
     寬度  156.0 ± 0.5 mm
     直徑  200.0 ± 0.5 mm
     晶向  <100>
     厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
    機械特性 參數(shù)
     總厚度變化  ≤ 40 μm
     彎曲度  ≤ 70 μm
     表面  無微晶結構
     鋸痕  ≤ 15 μm
    技術規(guī)格

    單晶硅片
    125 mm x 125 mm
    一般特征 參數(shù)
     產品  單晶硅片
     晶體生長方法  CZ
     導電類型  P 型
     摻雜劑  硼
     電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm
     氧含量  1 × 10 18 atoms/cm 3
     碳含量  1 × 10 17 atoms/cm 3
    結構特征 參數(shù)
     寬度  125.0 ± 0.5 mm
     直徑  150.0 ± 0.5 mm;
     165.0 ± 0.5 mm; 200 ± 0.5 mm
     晶向  <100>
     厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
    機械特性 特性
     總厚度變化  ≤ 40 μm
     彎曲度  ≤ 70 μm
     表面  無微晶結構
     鋸痕  ≤ 15 μm

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