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    氮化鋁（AlN） 襯底片 北京中研環(huán)

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它

    產(chǎn)品品牌

    中研環(huán)

    庫       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國-北京市

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：中研環(huán)

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-其它材料-其它

    氮化鋁（AlN）
    陶瓷基片
    氮化鋁（AlN）
     

    簡介：

    用途：AlN具有熱導(dǎo)率高、電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近、無毒性的特點(diǎn)，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應(yīng)用于高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料。

    特點(diǎn)：北京瑞發(fā)致遠(yuǎn)能提供常規(guī)AlN和金屬化的AlN基片。即在AlN表面鍍一層金屬層，其附著力在1.5-3.0之間，可焊性好。

    參數(shù)：

     

    AlN單晶基片
    密度 3.20-3.26g/cm3
    純度 >99.99%
    熱膨脹系數(shù) 4.2-4.5ppm/℃
    介電常數(shù) 8.7-9.0
    拋光 單面或雙面
    封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒

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