服務(wù)熱線
4001027270
產(chǎn)品名稱: |
碳化硅(SiC)晶體基片 |
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技術(shù)參數(shù): |
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產(chǎn)品規(guī)格: |
摻雜類型:6H N型 <0001> 表示專門摻N的,摻雜濃度是10E18-10E19;4H N型;半絕緣; 拋光情況:單拋或雙拋; 表面粗糙度:Ra<10A 常規(guī)晶向 :<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,單拋 一種低電阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一種是高電阻率(>10^5 ohm.cm)
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝或單片盒、插盒裝 |
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