碳化硅襯底是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導(dǎo)體單晶材料,
可有效突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限,開發(fā)出更適應(yīng)高壓、高溫、高功率、高頻等條件的半導(dǎo)體器件。
第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)相比于前兩代半導(dǎo)體材料,具備大禁帶寬度、大漂移速率、大熱導(dǎo)率、大
擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢,從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高功率、高頻、高溫、高電壓等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件。
整體來看,碳化硅的耐高壓能力是硅的 10 倍、耐高溫能力是硅的 2 倍、高頻能力是硅的 2 倍。
與硅基模塊相比,碳化硅二極管及開關(guān)管組成的模塊(全碳模塊),不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu)勢,在應(yīng)用
時還可以縮小模塊體積 50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗 80%以上,從而降低綜合成本。