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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法 靈活,方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。
測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率最高支持1MHz。
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);
大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);
系統(tǒng)參數(shù)
項(xiàng)目 |
參數(shù) |
|
集電極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
3500V |
Z大電流 |
6000A |
|
精度 |
0.10% |
|
大電壓上升沿 |
典型值5ms |
|
大電流上升沿 |
典型值15us |
|
大電流脈寬 |
50us~500us |
|
漏電流測(cè)試量程 |
1nA~100mA |
|
柵極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
300V |
Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
|
精度 |
0.05% |
|
Z小電壓分辨率 |
30uV |
|
Z小電流分辨率 |
10pA |
|
電容測(cè)試 |
典型精度 |
0.5% |
頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
|
電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
|
溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
精度 |
±1℃ |
測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
1000A/3500V第三代功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供
整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
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