符合MIL-STD-883D、MIL-M-38510、GJB548、GJB597等試驗標準要求；
系統(tǒng)適用于各種封裝形式的SRAM，DRAM，SDRAM ，F(xiàn)LASH，DDR，RDRAM等器件進行高溫動態(tài)老化篩選，并且在老化過程中對被試驗器件(DUT)進行功能測試(TDBI);
一板一區(qū)，可滿足16種不同試驗參數(shù)的器件同時老化;可根據(jù)用戶的需求，定制各種老化板及測試程序;
PH-201大容量高溫試驗箱一臺；
內(nèi)箱尺寸：60cm×60cm×60cm，水平風(fēng)道設(shè)計；
16個 試驗區(qū)域（一板一區(qū)），每個試驗通道為24的整數(shù)倍，以8位存儲器為例，老化測試工位最多可達到24×8＝192片，整機可到達192×16＝3072片；
標配8臺12V/80A程控數(shù)字電源；試驗電源過壓、欠壓、過流、短路和過熱等保護功能，確保試驗電源的可靠性；
計算機實時檢測并記錄電源的輸出電壓、電流，便于試驗監(jiān)控；工業(yè)級電腦主機、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標，WINDOWS操作界面，友好的人機對話窗口， 強大的圖形編輯能力以及強大的器件庫供用戶選擇，軟件操作簡單易學(xué)，更有系統(tǒng)查詢診斷功能， 試驗狀況一目了然，方便用戶隨時查驗；
多達幾百種按軍標要求設(shè)計的老化試驗板供用戶選擇，各種基板和老化座均耐高溫、抗氧化、耐疲勞；
供電電源：單相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW；外形尺寸：W1360mmхH1820mmхD1320mm；重量：約500kg 。
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