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    包郵 關(guān)注:207

    高溫掃描隧道電子顯微鏡（HT-STM）

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備-其他測(cè)試設(shè)備類

    庫       存：

    10000

    產(chǎn)       地：

    中國-江蘇省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付
     

    高溫掃描隧道電子顯微鏡由荷蘭LPM公司與常州國成新材料科技有限公司（GCInno®）共同研制開發(fā)，可以實(shí)現(xiàn)最高1300K樣品溫度下對(duì)樣品表面的原位掃描成像，高溫成像分辨率小于1nm，室溫成像達(dá)到原子分辨。  
    可廣泛應(yīng)用在真空鍍膜、化學(xué)氣相沉積及催化反應(yīng)研究等領(lǐng)域。 

    圖片1

    亮點(diǎn)：  
    ☆實(shí)現(xiàn)高溫條件下的樣品表面反應(yīng)的原位成像，直接觀測(cè)反應(yīng)過程， 最高溫度可達(dá)1300K  
    ☆可在不退針的情況下對(duì)樣品進(jìn)行從室溫到1300K連續(xù)掃描。  
    ☆國際聯(lián)合設(shè)計(jì)、本土化總裝，方便滿足定制需求、快速交貨和技術(shù)的技術(shù)服務(wù)。  
    技術(shù)參數(shù)：

    本底真空 <2 x 10－10 mbar
    漏率 <10-12mbar•l•s-1
    分辨率 室溫下（HOPG原子分辨）0.1nm；高溫下1nm
    適用溫度 300~1300 K；可擴(kuò)展低溫77~300K
    熱漂移 XY方向：<0.15nm/min；Z方向：<0.05nm/min
    因變溫引起的樣品熱位移 XY方向：<15nm/k；Z方向：在掃描管伸縮內(nèi)
    掃描范圍 2μm×2μm

    可選配件：  
    原位MBE-STM聯(lián)合系統(tǒng)；原位CVD-STM聯(lián)合系統(tǒng)；原位MBE蒸發(fā)源；  
    BN蒸發(fā)源；CVD氣路；氬離子槍；空氣腿；超高真空、高真空系統(tǒng)等。  
    特殊定制：  
    可根據(jù)客戶需求，定制各種腔體、傳樣系統(tǒng)等。  
    效果展示： 

    圖片2

    在1300K樣品溫度下，觀測(cè)到的氮化硼圖像圖像尺寸為70nmx70nm 

    圖中周期性結(jié)構(gòu)的周期為3.2nm，起伏小于0.1nm  

    3圖片3

    不同溫度下石墨烯在金屬表面的形成過程

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