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    聚焦離子束FIB芯片的電路修改斷面切割透射電鏡樣品制備

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體測試設(shè)備-其他測試設(shè)備類

    庫       存:

    88

    產(chǎn)       地:

    全國

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付
     

     

    u主要用途
    芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。
     
    u
     
    性能參數(shù)
    a)著陸電壓范圍 - 電子束:350V~30kV
                    - 離子束:500V~30kV
    b)最小分辨率 - 電子束:0.8nm/30kV
                  - 離子束:2.5nm/30kV
    c)全新的差分抽取及TOF校正功能,可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積
     
    u
     
    應(yīng)用范圍
    1.定點(diǎn)切割
    2.穿透式電子顯微鏡試片
    3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證
    4.制程上異常觀察分析
    5.晶相特性觀察分析
    6.故障位置定位用被動電壓反差分析

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