u主要用途
芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。
u
性能參數(shù)
a)著陸電壓范圍 - 電子束:350V~30kV
- 離子束:500V~30kV
b)最小分辨率 - 電子束:0.8nm/30kV
- 離子束:2.5nm/30kV
c)全新的差分抽取及TOF校正功能,可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積
u
應(yīng)用范圍
1.定點(diǎn)切割
2.穿透式電子顯微鏡試片
3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證
4.制程上異常觀察分析
5.晶相特性觀察分析
6.故障位置定位用被動電壓反差分析