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IntelliSense測(cè)試平臺(tái)
IntelliSense 可以為客戶(hù)提供各種MEMS器件與工藝參數(shù)的測(cè)試服務(wù)。
一、 IntelliSense壓力傳感器測(cè)試系統(tǒng)
1、 遵循JB/T 10524-2005標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試系統(tǒng);
2、 包括壓力控制器、高低溫試驗(yàn)箱(-60℃~150℃)、高精度穩(wěn)壓電源、萬(wàn)用表;
3、 可以精確測(cè)得傳感器的非線性、靈敏度、重復(fù)性、遲滯、精度、溫度穩(wěn)定性等各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)。
二、 各種MEMS測(cè)量、檢測(cè)能力
1、激光掃描顯微鏡
用于半導(dǎo)體器件的片上表面形貌，三維結(jié)構(gòu)，剖面等全方位精細(xì)測(cè)量。
2、探針臺(tái)/半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體器件表征儀器，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的片上電氣測(cè)試?？捎眉傻拿}沖發(fā)生器和選擇開(kāi)關(guān)自動(dòng)完成器件表征，用內(nèi)置的應(yīng)力測(cè)量模式完成晶片的可靠性測(cè)試?？赏瓿蓽?zhǔn)靜態(tài)的電容對(duì)電壓的測(cè)量。確保器件質(zhì)量及可靠性，縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。
3、半導(dǎo)體薄膜檢測(cè)儀
精確測(cè)量硅基上的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅等單層和雙層薄膜的厚度。
4、半導(dǎo)體臺(tái)階輪廓檢測(cè)儀
精確測(cè)量表面2D臺(tái)階形貌，可測(cè)量臺(tái)階范圍：0-130μm，掃描長(zhǎng)度范圍：0-10mm。
5、半導(dǎo)體邏輯分析儀
主要應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的數(shù)學(xué)信號(hào)波形測(cè)量與產(chǎn)生特點(diǎn)輸入脈沖向量，精確測(cè)量精密的時(shí)序關(guān)系。
6、方塊電阻測(cè)試儀
采用四探針的原理對(duì)半導(dǎo)體工藝過(guò)程中的表面薄膜方阻進(jìn)行測(cè)試，可以便捷快速的測(cè)得薄膜的技術(shù)參數(shù)。
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