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感應(yīng)耦合等離子刻蝕 刻蝕代加工

發(fā)表于:2019-10-24  作者:gdisit  關(guān)注度:711

 

設(shè)備名稱:感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)(ICP) /英國牛津儀器

用途:刻蝕GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
 
技術(shù)指標(biāo):
1. ICP離子源:0-3000W;RF射頻源:0-600W
2. 刻蝕氣體:Cl2、BCl3、Ar2、SF6、O2、CHF3
3. 樣品尺寸:27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸
3. 基底刻蝕溫度: -20℃-80℃可調(diào)
4. 刻蝕均勻性:<±3%

 案例
             GaN深刻蝕      
                                              GaN深刻蝕:各向異性刻蝕   

 Si深刻蝕
                                                 Si深刻蝕:各項(xiàng)同性刻蝕

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