等離子體增強化學氣相沉積 鍍膜代加工
發(fā)表于:2019-10-24 作者:gdisit 關(guān)注度:613
設(shè)備名稱:等離子體增強化學氣相沉積(PECVD) /英國牛津儀器
用途:沉積SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
技術(shù)指標:
1. RF射頻源:高頻13.56MHz 功率0-300W;低頻50-460KHz 功率0-500W
2. 反應(yīng)氣體:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
3. 樣品尺寸:43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸
4. 下電極溫度:室溫-400℃可調(diào)
5. 鍍膜均勻性:<±3%