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低壓化學(xué)氣相沉積法 代加工

發(fā)表于:2019-10-24  作者:gdisit  關(guān)注度:667

 

設(shè)備名稱:低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)


用途:干氧SiO2,濕法SiO2,SiNx生長,更好的成膜致密性

技術(shù)指標(biāo):
1、溫度:300~1100℃,恒溫區(qū):350mm/±1℃
2、極限真空度:8×10-1Pa,壓力測控范圍:1Pa~1000Pa
3、適用晶片:50*4英寸、50*6英寸
4、膜厚均勻性(150nm)片內(nèi)≤2%  片間≤2%  批間≤2%

 

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