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4001027270
設備名稱:磁控濺射臺/美國Kurt
用途:濺射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜
磁控濺射 AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。
技術指標:
1. 樣品尺寸:5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸
2. 基板加熱溫度: 室溫-350℃可調(diào),控溫精度1℃
3. 配備四臺濺射靶槍,其中一個靶槍支持強磁性材料,支持反應濺射
4. 300W射頻電源,2kW 直流脈沖電源,帶有等離子清洗功能
5. 蒸發(fā)均勻性:2英寸范圍內(nèi)<±3% ;6英寸范圍內(nèi)±5%
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