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CVD Bulk（純固體） SiC材料是由大量的化學氣相沉積（CVD）中產生的固體過程而生成的高純SiC材料（99,9995%=5N）

在理論上CVD SiC材料是超純細粒度（5N）致密的微觀組織，沒有空隙或微裂紋，具有ß立方晶體結構。

CVD Bulk（純固體） SiC,它優(yōu)于傳統(tǒng)的碳化硅形式,以及其他陶瓷,石英,和金屬。

CVD Bulk（純固體） SiC具有如下的各種優(yōu)越性能：

①優(yōu)良的耐化學腐蝕(純ＳｉＣ不會被ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４和ＨＦ等酸溶液以及ＮａＯＨ等堿溶液侵蝕)。

②具有熱穩(wěn)定性，抗熱震性能，抗疲勞性能，抗氧化性能, 可使用用于溫度達1700°C.- 1800°C環(huán)境。

⑶高導熱系數(shù)，但是熱膨脹系數(shù)卻低，具有良好的熱和機械性能。

④優(yōu)越的平整度，保持平坦剛度 (1700°C) ，優(yōu)良的耐磨性及鏡面裝飾性，可擦拭至＜3ÅRMS（1000Ω厘米）

⑤低電阻，(體電阻率為0.012），具有高溫半導體電性。

⑥高硬度（僅次于鉆石）,高剛度,高強度,高彈性模量,高耐磨損性，所以尺寸穩(wěn)定性好，具最好的剛度/重量比。

目前CVD Bulk（純固體） SiC產品開始應用在半導體裝備體制造業(yè)中需要超高溫和等離子蝕刻/光刻等惡劣環(huán)境中。
該類產品來替代由石墨或金屬硅,石英材料制作的現(xiàn)有各種易損另部件

CVD Bulk（純固體）SiC市場并不是開拓新領域,而是要替代現(xiàn)有硅材料的初級階段 -由于半導體行業(yè)都正在增設大直徑（>300mm）晶圓工廠而市場規(guī)模日趨擴大，目前由CVD Bulk(純固體)SiC來替代原先使用的硅材料的半導體市場規(guī)模仍不到5% 。為了適用於半導體器件制造工程，考核驗證產品質量的時間整整花費了3年以上,現(xiàn)已通過驗證并處于擴大應用階段由于韓國半導體龍頭企業(yè)已經負擔了開發(fā)成本,減少風險，現(xiàn)在可以直接投入批量生產及應用創(chuàng)造條件=> 現(xiàn)在正是后發(fā)企業(yè)進入推廣應用的最佳機會。半導體市場規(guī)模而言，一旦把石英部件也要由CVD Bulk（純固體）SiC材料來替代的話，其市場規(guī)?？隙ㄒ忍娲璨牧系氖袌龃蟮枚嘌?！

蝕刻機CVD SiC聚焦環(huán)

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