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    包郵 關(guān)注:604

    4英寸氮化鎵復(fù)合襯底 東莞中鎵

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    產(chǎn)品品牌

    中鎵

    庫(kù)       存:

    1000

    產(chǎn)       地:

    中國(guó)-廣東省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:中鎵

    型號(hào):

    所屬系列:半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-氮化鎵

    4英寸氮化鎵復(fù)合襯底

    產(chǎn)品型號(hào)
    Item
               ST-ncY-Φ100        
    尺寸
    Size (mm)
      Φ100.0±0.5
    GaN厚度
    Thickness (μm)
       6~8,Customized
    導(dǎo)電類型
    Conduction Type
      Un-doped N-type  Si-doped N-type
    電阻率 (300K)
    Resistivity (Ω•cm)
      ≤ 0.5  ≤ 0.05
    晶向
    Orientation
    C-axis(0001)±0.5°   
    GaN層厚度均勻性
    GaN Thickness Uniformity
          ≤ ±5%             ≤ ±8%       ≤ ±10%
    位錯(cuò)密度
    Dislocation Density (cm﹣² )­
       Grade A
    Grade B
    107 108
    襯底結(jié)構(gòu)
    Substrate Structure
    GaN on Sapphire(0001)   
    有效面積
    Useable Surface Area
     >90%  
    包裝
    Package
    Packaged in a class 100 clean room environment.   

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