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(1)對(duì)微器件進(jìn)行減薄、剝蝕等解剖分析,
利用高電流密度的離子槍,可對(duì)微小樣品進(jìn)行縱深切割、定向鉆孔。因此可對(duì)微器件,尤其是微器件,如磁頭、計(jì)算機(jī)芯片等進(jìn)行剖析;
利用選擇性腐蝕技術(shù),選擇性地腐蝕金屬或絕緣體,增加器件結(jié)構(gòu)的襯度,便于微器件的剖析;
對(duì)集成電路進(jìn)行改性(IC modification);
快速、高效地制備微器件的橫截面的透射電鏡樣品,該技術(shù)是目前其它截面電鏡樣品制備技術(shù)所無法比擬的;
(2)納米加工(Nano Lithography):
利用納米離子束進(jìn)行金屬、絕緣體的沉積,生成導(dǎo)電極片(conductive pads),進(jìn)行跡線連接 (connecting traces),結(jié)合選擇性腐蝕技術(shù),可制備納米器件,如單電子量子開關(guān),納米場效應(yīng)二極管;量子點(diǎn)的制備;量子線的制備及其量子輸運(yùn)特性研究,及微機(jī)械結(jié)構(gòu)(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。
ZEISS公司最新推出的新一代聚焦離子束電子顯微鏡AURIGA是一臺(tái)高靈活性的CrossBeam工作站,它可以由客戶自主選擇應(yīng)用目的。
獨(dú)特的成像能力
· 在有局部電荷中和器的條件下,可以使用所有的標(biāo)準(zhǔn)探測器進(jìn)行非導(dǎo)體樣品的成像
· 在一個(gè)包括EsB技術(shù)的獨(dú)特探測器設(shè)計(jì)中,可同時(shí)探測形貌和組分信息。
· 具有GEMINI物鏡設(shè)計(jì),可進(jìn)行磁性樣品的研究
先進(jìn)的分析能力
· 具有局部電荷中和器,可進(jìn)行非導(dǎo)體材料的分析
· 具有15個(gè)附屬接口的多用途樣品室
· 最佳的樣品室?guī)缀卧O(shè)計(jì),可同時(shí)安裝EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附屬設(shè)備
精確的處理能力
· 創(chuàng)新的FIB技術(shù),具有最高級(jí)別的分辨率
· 在FE-SEM實(shí)時(shí)監(jiān)控整個(gè)樣品制備的過程中,具有高的分辨率
· 先進(jìn)的氣體處理技術(shù),用于離子束和電子束的輔助刻蝕和沉積
客戶自主選擇和未來的可擴(kuò)展性
· 基于一種全面的模塊化的理念,AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客戶自行進(jìn)行選擇,以滿足其今天以及未來的個(gè)性化應(yīng)用。
· 從一個(gè)高性能的FE-SEM平臺(tái)出發(fā),這個(gè)系統(tǒng)伴隨著廣泛的可選的硬件和軟件品種而升級(jí),如:FIB,GIS,局部電荷中和系統(tǒng)和不同的探測器
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