擴(kuò)散爐，氧化擴(kuò)散爐產(chǎn)品應(yīng)用：應(yīng)用于集成電路、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，適用2~8英寸工藝尺寸
 產(chǎn)品名稱(chēng)： 氧化/擴(kuò)散爐系列 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體 |
| 關(guān) 鍵 字：擴(kuò)散爐，氧化擴(kuò)散爐 |
| 產(chǎn)品咨詢(xún)電話(huà)：4008-110044 |
| 產(chǎn)品詳細(xì)描述： |
產(chǎn)品應(yīng)用：應(yīng)用于集成電路、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，適用2~8英寸工藝尺寸
擴(kuò)散爐產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆工業(yè)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，對(duì)爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閥門(mén)等動(dòng)作進(jìn)行自動(dòng)控制
◆采用懸臂送片器：操作方便、無(wú)摩擦污染等
◆關(guān)鍵部件均采用進(jìn)口，確保設(shè)備的高可靠性
◆工藝管路采用進(jìn)口閥門(mén)管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無(wú)污染（管路均采用EP級(jí)電拋光管路），流量控制采用進(jìn)口質(zhì)量流量計(jì)（MFC）
◆控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好；
擴(kuò)散爐主要技術(shù)指標(biāo)
◆工作溫度：200～1300℃
◆加熱體控制點(diǎn)：3/5點(diǎn)
◆爐體恒溫區(qū)：450mm/600mm/800mm/1100mm
◆恒溫區(qū)精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
◆單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
◆最大可控升溫速度：15℃/min
◆最大降溫速度：5℃/min（900～1300℃）
◆供電：三相四線(xiàn)，380VAC/50HZ
◆局部?jī)艋燃?jí)：100級(jí)。
◆氧化系統(tǒng)：干氧、濕氧（氫氧內(nèi)外點(diǎn)火）
歡迎索取相應(yīng)詳盡的技術(shù)資料及共研相應(yīng)項(xiàng)目的解決方案。
(青島華旗科技有限公司，2009年)，為專(zhuān)業(yè)的IC集成電路及器件工藝、半導(dǎo)體材料（晶體生長(zhǎng)等）、半導(dǎo)體特氣及廢氣處理、精密真空熱處理爐（磁性材料等，成套）設(shè)備及解決方案的高科技研發(fā)制造企業(yè)。致力于為IC集成電路、功率器件、MEMS器件、LED、太陽(yáng)能電池、新材料等制造廠(chǎng)家及科研院所提供先進(jìn)的工藝設(shè)備（含成套設(shè)備及解決方案）。
出色地完成了部分國(guó)家863項(xiàng)目（如GaN厚膜晶體生長(zhǎng)的HVPE系統(tǒng)、MOCVD系統(tǒng)等）等。
GB/T19001-2008(ISO9001:2008)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
主要產(chǎn)品：
氧化擴(kuò)散爐系列、LPCVD 系統(tǒng)、PECVD系統(tǒng)、HVPE系統(tǒng)、MOCVD系統(tǒng)、RTP快速熱處理、氣瓶柜、半導(dǎo)體尾氣（廢）處理SCRUBBER，真空熱處理爐、鏈?zhǔn)綘t系列、擴(kuò)散爐體系列等。
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