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爐管工藝過(guò)程為低壓軟著陸閉管擴(kuò)散方式，此種擴(kuò)散方式具有設(shè)備污染小、氣體和能源消耗少、溫度穩(wěn)定性改善、工藝擴(kuò)展性強(qiáng)、擴(kuò)散工藝均勻及自動(dòng)化程度高等特點(diǎn)。

用途

低壓擴(kuò)散爐是在工藝工程中，將反映腔室內(nèi)氛圍精確控制在低于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓范圍值內(nèi)，再進(jìn)行晶硅電池制造中的摻雜工藝。

特點(diǎn)

1、可配工藝管數(shù)為五管；
2、70~120Ω/□區(qū)間的5點(diǎn)方阻均勻性可達(dá)到4% 、3%、3%；
3、磷源節(jié)約70%，氮?dú)夤?jié)約95%，COO優(yōu)勢(shì)明顯；
4、產(chǎn)能≥1000片/管；
5、工藝時(shí)間80-90min；
6、可在原有擴(kuò)散爐上升級(jí)改造；
7、適用于磷擴(kuò)和硼擴(kuò)工藝；
8、爐門密封采用雙層結(jié)構(gòu)，確保腔內(nèi)壓力穩(wěn)定；
9、可選配（MES接口、自動(dòng)上下料、上下位機(jī)控制、在線倒片機(jī)構(gòu)）。

核心技術(shù)指標(biāo)

70~120Ω/□區(qū)間的5點(diǎn)方阻均勻性可達(dá)到4% 、3%、3%。

應(yīng)用領(lǐng)域

核心技術(shù)參數(shù)

1、適用硅片尺寸：125mm×125mm /156mm×156mm及非標(biāo)尺寸硅片；
2、裝片量：≥1000片/管
3、工作溫度范圍：600～1200℃；
4、恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：±0.5℃/1300mm；
5、氣體流量控制精度: ±1％F.S；
6. 氣路系統(tǒng)氣密性：1×10-7pa.m3/s；
7. 真空系統(tǒng)漏率：≤4mbar/min（冷態(tài)）≤6mbar/min（熱態(tài)）；
8. 壓力調(diào)節(jié)范圍：50～800mbar，連續(xù)可調(diào)；
9. 五點(diǎn)PROFILE熱偶串級(jí)控溫。

SSD8573AL擴(kuò)散爐

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