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    美國ABM深紫外光刻機 怡和瑞豐

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體加工設備-光刻設備-UV光刻機

    產品品牌

    怡和瑞豐

    規(guī)格型號：

    ABM/6/500/DUV/DCCD/M

    庫       存：

    100

    產       地：

    美國

    數       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥10000.00
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    品牌：怡和瑞豐

    型號：ABM/6/500/DUV/DCCD/M

    所屬系列：半導體加工設備-光刻設備-UV光刻機

    美國ABM深紫外光刻機 怡和瑞豐



                            設備型號：ABM/6/500/DUV/DCCD/M

    光學系統(tǒng)：

     曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節(jié)精度0.1s)
     365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環(huán)；
     聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設定指標；
     有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
    全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
    波長濾片檢查及安裝裝置
     抗衍射反射功能高效反光鏡；
     二向色的防熱透鏡裝置；
     防汞燈泄漏裝置；
     配備蠅眼棱鏡裝置
     配備深紫外光源，
        --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2
        --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2
        --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2
        --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

    主要配置：

     6“，8”光源系統(tǒng) 
     可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻 
     手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng), 自動對準系統(tǒng)
     支持電源350-2000 Watt
     支持深紫外曝光
     CCD或顯微鏡對準系統(tǒng)


    主要性能指標：

     光強均勻性Beam Uniformity:：
        --<±1% over 2” 區(qū)域
        --<±2% over 4” 區(qū)域
        --<±3% over 6” 區(qū)域
     接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um（驗收指標）
         接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.25 um（極限指標）
     正面對準精度±0.5um
         支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
     支持LED優(yōu)異電流控制技術PSS工藝光刻
     支持真空、接近式、接觸式曝光
     支持恒定光強或恒定功率模式

    光刻線條特征尺寸：

        應用實例1：深紫外光源下0.25um線條
         Scanning Electron Micrographs 電子顯微鏡圖像
         Feature Sizes圖像尺寸0.25微米線條
         采用TOK DUV 光刻膠，200nm光學鏡，光刻膠厚度0.45微米。曝光時間40秒。

       

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