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    脈沖激光分子束外延系統(tǒng) 科睿設(shè)備

    庫(kù)       存:

    100

    產(chǎn)       地:

    中國(guó)-上海市

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
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    脈沖激光分子束外延系統(tǒng)  科睿設(shè)備 設(shè)備商城
    (PLD MBE)

    憑借著優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國(guó)內(nèi)外擁有較多用戶,為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來(lái)參觀咨詢。
    PVD公司是美國(guó)主要制造商,是一家專業(yè)從事脈沖激光沉積分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計(jì)和制造的公司,提供超高真空薄膜沉積系統(tǒng),應(yīng)用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產(chǎn)品主要集中在小型研究開發(fā)系統(tǒng),其應(yīng)用主要包括:
    用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長(zhǎng);
    UHV磁控濺射磁性薄膜;
    脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。


    儀器主要配置:
    主腔室,樣品傳輸腔,1100度加熱系統(tǒng),樣品旋轉(zhuǎn),PLD靶材操控器及光路,K-cell熱蒸發(fā)源,電子束蒸發(fā)源,射頻RF離子源。
    應(yīng)用主要包括:
    分子束外延系統(tǒng)(MBE);
    GaAs、InP和GaSb外延;
    HgCdTe外延;
    GaN、InN和AlN外延;
    Ⅱ-Ⅵ族外延;
    SiGe外延;
    Si/金屬/氧化物外延;
    超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng);
    磁控濺射系統(tǒng);
    脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng);
    電子束蒸發(fā)系統(tǒng);
    離子束沉積系統(tǒng);
    熱蒸發(fā)系統(tǒng)。

    PVD公司已經(jīng)在全球范圍內(nèi)安裝了超過(guò)100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對(duì)用戶定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶定制設(shè)計(jì)的背景,在用戶中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)最初都是起源于針對(duì)某些客戶對(duì)沉積過(guò)程特殊需求的解決方案,與廣大的中國(guó)用戶開展更為廣泛的交流與合作,為廣大的中國(guó)用戶提供國(guó)際頂尖PLD MBE和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。

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