概述

向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用場合，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生極高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環(huán)境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺寸：800x800x1800mm

質(zhì) 量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗：320W

通信接口：USB RS232

IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

產(chǎn)品品牌

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應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的相關(guān)同類產(chǎn)品：

IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

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