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    EVG100系列勻/噴膠及顯影系統(tǒng):EVG101

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-光刻設(shè)備-UV光刻機(jī)

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    90天

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    產(chǎn)       地:

    中國

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    型號(hào):

    所屬系列:半導(dǎo)體加工設(shè)備-光刻設(shè)備-UV光刻機(jī)

     EVG100系列勻/噴膠及顯影系統(tǒng):EVG101 

     

    一、 簡介

     

    EVG公司成立于1980年,公司總部和制造廠位于奧地利,在美國、日本和臺(tái)灣設(shè)有分公司,并在其他各地設(shè)有銷售代理及售后服務(wù)部,產(chǎn)品和服務(wù)遍及世界各地。

    EVG公司是一家致力于半導(dǎo)體制造設(shè)備的全球供應(yīng)商,其豐富的產(chǎn)品系列包括:涂膠和噴膠/顯影機(jī)/熱板/冷板、掩模版光刻/鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、基片熱壓鍵合/低溫等離子鍵合系統(tǒng)、基片清洗機(jī)、基片檢測系統(tǒng)、SOI 基片鍵合系統(tǒng)、基片臨時(shí)鍵合/分離系統(tǒng)、納米壓印系統(tǒng)。

    目前已有數(shù)千臺(tái)設(shè)備安裝在世界各地,被廣泛地應(yīng)用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)/微流體器件,SOI基片制造,3D封裝,納米壓印,化合物半導(dǎo)體器件和功率器件等領(lǐng)域。

    EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)是一款單片處理系統(tǒng),建立了光刻膠涂布和顯影方面的質(zhì)量和工藝靈活性標(biāo)準(zhǔn)。可以處理2’到300mm直徑的基片、方片、甚至不規(guī)則形狀的基片,而且可以實(shí)現(xiàn)硅片在不同尺寸間簡單快捷的更換。除此之外,EVG100系列還可以滿足客戶硅片邊緣處理和超薄硅片涂覆的要求。

    EVG100系統(tǒng)的設(shè)計(jì)體現(xiàn)了最廣泛的工藝適配性,可以配置勻膠、噴膠、顯影、烘烤和冷卻模塊以適應(yīng)每個(gè)客戶的生產(chǎn)需要。系統(tǒng)可匹配各種材料的不同工藝過程,如正性膠、負(fù)性膠、聚酰亞胺、薄膠層雙面涂覆、高粘度膠和邊緣保護(hù)涂覆等,非常適合于MEMS等器件的高標(biāo)準(zhǔn)涂覆要求。

     

    二、應(yīng)用范圍

    應(yīng)用于MEMS制造、晶圓級(jí)先進(jìn)封裝、3D互聯(lián)工藝以及LED和光伏發(fā)電等領(lǐng)域。

     

    三、主要特點(diǎn)

    旋轉(zhuǎn)涂膠系統(tǒng):

    1. 高的基片旋轉(zhuǎn)速度,高的旋轉(zhuǎn)加速度,從而得到高的膜厚均勻性

    2. 多種供膠方式,滿足不同應(yīng)用的涂膠需求

    3. 工藝室配備上蓋,有效控制腔室內(nèi)的有機(jī)氣氛,避免了厚膠涂敷產(chǎn)生的“棉花糖”效應(yīng),其上集成了六個(gè)噴頭可自動(dòng)清洗腔室內(nèi)壁上的殘膠;

    4. 專有技術(shù)設(shè)計(jì),基片旋轉(zhuǎn)速度最大為 10000 轉(zhuǎn)/分,旋轉(zhuǎn)加速度最大為40000 rpm/sec,以實(shí)現(xiàn)膠膜厚度高度均勻性。

     

    噴膠涂覆系統(tǒng):

    1. 專利技術(shù)的膠粒過濾器和噴膠系統(tǒng)

    2. 可編程控制的兆聲噴霧頭,可對(duì)深幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行均勻涂膠。

    3. 噴膠臂轉(zhuǎn)動(dòng)速度可編程,噴膠流量、噴膠頭Z軸位置及其與基片的傾斜角度均可軟件調(diào)節(jié),從而得到高質(zhì)量的深幾何結(jié)構(gòu)臺(tái)階覆蓋

    4. 膠液消耗低,與旋轉(zhuǎn)涂膠工藝相比,約節(jié)省膠液60%-80%。

     

    集成性:

    旋轉(zhuǎn)涂膠工藝和噴霧涂膠工藝可集成在一臺(tái)涂膠系統(tǒng)中,節(jié)省了設(shè)備成本及其占地面積,拓寬了應(yīng)用范圍

     

    顯影系統(tǒng):

    1.最大的工藝適應(yīng)性,噴射/霧化/侵泡三種顯影方式及其結(jié)合

    2. 應(yīng)用兆聲顯影頭,非常適合厚膠的顯影,其具有的低沖擊力噴射工藝,同樣適用于易碎基片的顯影。
           
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