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英Oxford 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)System 100
產(chǎn)品品牌
英Oxford
庫 存:
1
產(chǎn) 地:
全國
等離子體增強化學氣相沉積(Oxford Plasmalab System100 PECVD)
原理:
·在保持一定壓力的原料氣體中,借助射頻功率產(chǎn)生氣體放電,使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體。在氣體放電等離子體中,由于低速電子與氣體原子碰撞,產(chǎn)生正、負離子之外,還會產(chǎn)生大量的活性基,從而大大增強反應氣體的化學活性。這樣,在相對較低的溫度下,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。由于PECVD技術是通過反應氣體放電來制備薄膜的,有效的利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。
一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時,薄膜的生長主要包含以下三個基本過程:
首先,在非平衡等離子體中,電子與反應氣體發(fā)生初級反應,使得反應氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團的混合物;
其二,各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散運運輸運,同時發(fā)生各反應物之間的次級反應;左后,到達生長表面的各種初級反應和次級反應產(chǎn)物被吸附并于表面發(fā)生反應,同時伴隨有氣相分子物的再放出。
PECVD的優(yōu)點是:基本溫度低,沉積速率快,成模質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂。
技術指標:
·可蒸發(fā)不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜,廣泛應用于物理,生物,化學,材料,電子等領域。
·沉積薄膜種類:SiO2,SiNx,SiONx
·基底溫度:小于400℃
·薄膜均勻性:±3%(4英寸)
·裝片:小于6英寸的任意規(guī)格的樣品若干
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