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    包郵 關(guān)注:513

    鉿靶材Hf氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-其他

    產(chǎn)品品牌

    京邁研

    規(guī)格型號(hào):

    根據(jù)客戶要求定制

    庫(kù)       存:

    10

    產(chǎn)       地:

    中國(guó)-北京市

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:京邁研

    型號(hào):根據(jù)客戶要求定制

    所屬系列:半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-其他

     科研實(shí)驗(yàn)專(zhuān)用鉿靶材Hf氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料
    產(chǎn)品介紹
          氧化鉿(HfO2)常溫常壓下為白色固體,熔點(diǎn):2758℃,沸點(diǎn):5400℃,密度:9.68g/cm³,難溶于水,常溫常壓下穩(wěn)定,避免與酸接觸;當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿;也可通過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料;是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它最可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。
    產(chǎn)品參數(shù)
    中文名 二氧化鉿        化學(xué)式 HfO2     沸點(diǎn) 5400℃
    分子量 210.49           熔點(diǎn) 2758℃      密 度 9.68g/cm3
    純度 99.99%
    產(chǎn)品介紹
           鉿(Hf)是一種帶光澤的銀灰色的過(guò)渡金屬,具有塑性,當(dāng)有雜質(zhì)存在時(shí)質(zhì)變硬而脆;有6種天然穩(wěn)定同位素,不與水、稀鹽酸、稀硫酸和強(qiáng)堿溶液作用,但可溶于氫氟酸和王水;空氣中穩(wěn)定,灼燒時(shí)僅在表面上發(fā)暗,細(xì)絲可用火柴的火焰點(diǎn)燃;高溫下,鉿也可以與氧、氮等氣體直接化合,形成氧化物和氮化物。有較高的中子吸收截面,可用作反應(yīng)堆的控制材料;有較高的中子吸收截面,可用作反應(yīng)堆的控制材料;鉿元素也用于最新的intel45納米處理器。
    產(chǎn)品參數(shù)
    中文名 鉿             元素符號(hào) Hf
    原子量 178.49         沸點(diǎn) 4603℃
    熔點(diǎn) 2233℃           密度 13.31g/cm3
    京邁研圖片

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