薄膜濺射腔體用于薄膜的濺射；在一相對(duì)穩(wěn)定真空狀態(tài)下，陰陽(yáng)極間產(chǎn)生輝光放電，極間氣體分子被離子化而產(chǎn)生帶電電荷，其中正離子受陰極之負(fù)電位加速運(yùn)動(dòng)而撞擊陰極上之靶材，將其原子等粒子濺出，此濺出之原子則沉積于陽(yáng)極之基板上而形成薄膜。

模塊構(gòu)成及其功能描述

· 基片工作面朝上

· 具有預(yù)清洗功能（通過(guò)被電離的氬離子轟擊晶片表面，實(shí)現(xiàn)預(yù)清洗功能）

· 靶材與晶片距離：45毫米

· 具有脈沖可移動(dòng)磁鐵設(shè)計(jì)

· AE公司10kW脈沖直流電源

· 兼容4英寸/6英寸晶片（需加裝尺寸轉(zhuǎn)換零件）

· 分子泵
型號(hào)：普發(fā)真空HiPace 300

氬氣抽速：250 l/s

極限真空：7.5 • 10-8 Torr

· 具有鍍膜時(shí)冷卻基片功能，通Ar氣冷卻，利用空氣對(duì)流原理

· 配備2根氣路，配有氣動(dòng)隔離閥和過(guò)濾器：Ar流量范圍是0-140SCCM; O2流量范圍是0-100sccm

· 標(biāo)準(zhǔn)晶片底座配置

· 晶片底座帶有偏置電壓，0-600W,13.56MHz，自動(dòng)阻抗匹配

· 2套標(biāo)準(zhǔn)陶瓷件

磁控濺射的功能是通過(guò)利用 Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場(chǎng)和交變磁場(chǎng)的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。

操作控制系統(tǒng)

· 控制系統(tǒng)安裝在Windows操作系統(tǒng)中，主控制服務(wù)器可以控制每個(gè)腔室。自動(dòng)化軟件能單獨(dú)控制每一個(gè)工藝腔室，能監(jiān)控設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，實(shí)時(shí)監(jiān)控工藝參數(shù)，電腦能自動(dòng)存儲(chǔ)工藝數(shù)據(jù)。系統(tǒng)軟件可對(duì)各腔室工藝編輯，編程控制膜層濺射順序，一個(gè)工藝流程可以涉及多個(gè)工藝腔室，按程序依次對(duì)片盒中晶片鍍膜。具有EMO開(kāi)關(guān)，配置UPS電源，在突發(fā)斷電時(shí)，系統(tǒng)可以安全關(guān)機(jī)。滿(mǎn)足數(shù)字化工藝控制，具備設(shè)備監(jiān)控與管理數(shù)據(jù)采集接口，通過(guò)MES系統(tǒng)連接可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控和數(shù)據(jù)采集。

· 用戶(hù)界面有高端且易用的工藝方案管理系統(tǒng)。自動(dòng)化軟件能單獨(dú)控制每一個(gè)工藝模塊，即所有工藝模塊可以同時(shí)運(yùn)行，互不干擾，一個(gè)工藝流程可以涉及多個(gè)工藝腔室，即能同時(shí)使用所有的工藝腔室，增加靈活性程度及產(chǎn)能更高。

· 數(shù)據(jù)記錄提供了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集。用戶(hù)可以決定每一個(gè)工藝步驟中哪些變量要被記錄，并且可以在屏幕上顯示、存儲(chǔ)和打印這些數(shù)據(jù)。