網(wǎng)站首頁(yè)

|EN

當(dāng)前位置: 首頁(yè) » 設(shè)備館 » 半導(dǎo)體加工設(shè)備 » 鍍膜設(shè)備 » 磁控濺射機(jī) »高真空磁控濺射儀|多功能磁控濺射儀
    包郵 關(guān)注:385

    高真空磁控濺射儀|多功能磁控濺射儀

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-磁控濺射機(jī)

    產(chǎn)品品牌

    鵬城半導(dǎo)體

    庫(kù)       存:

    999

    產(chǎn)       地:

    中國(guó)-廣東省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:鵬城半導(dǎo)體

    型號(hào):

    所屬系列:半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-磁控濺射機(jī)

     多功能磁控濺射儀(高真空磁控濺射儀)是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。

     


     

     

    設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)

    秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn),實(shí)際運(yùn)行效果良好,為用戶的專*用*工*藝實(shí)現(xiàn)提供了精*準(zhǔn)*的工藝設(shè)備方案。

    靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

    -靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場(chǎng)分壓增大),導(dǎo)致鍍膜效果不好;電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫,降低鍍膜質(zhì)量。

    -靶材和靶面接觸不良,導(dǎo)致水冷效果不好,降低鍍膜質(zhì)量。

    -增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì),保證面接觸。

     

     

    距離可調(diào)整

    基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

     

     

     

    角度可調(diào)

    磁控濺射靶頭可調(diào)角度,以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性,做精*準(zhǔn)*調(diào)控。

     

     

     

    集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

    一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn):

    安全性好(操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件)

    占地面積小,尺寸約為:長(zhǎng)1100mm×寬780mm(標(biāo)準(zhǔn)辦公室門(mén)是800mm寬)(傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm),相同面積的工作場(chǎng)地,可以放兩臺(tái)設(shè)備。

     

     

    控制系統(tǒng)

    采用計(jì)算機(jī)+PLC兩級(jí)控制系統(tǒng)

     

    安全性

    -電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

    -設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

    -溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

    -冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量

    -檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

     

     

    勻氣技術(shù)

    工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場(chǎng)更均勻,鍍膜更均勻。

     

     

    基片加熱技術(shù)

    采用鎧裝加熱絲,由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi),所以高溫加熱過(guò)程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì),保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里,保證溫常的均勻,然后再對(duì)基片加熱。

     

     

    真空度更高、抽速更快

    真空室內(nèi)外,全部電化學(xué)拋光,完全去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見(jiàn)),沒(méi)有微觀藏污納垢的地方,腔體內(nèi)表面積減少一倍以上,鍍膜更純凈,真空度更高,抽速更快。

     

     

    設(shè)備詳情

    設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

    1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱

    2、磁控濺射靶數(shù)量及類型:1 ~ 6 靶,圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

    3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

    4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

    5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

    6、通入反應(yīng)氣體,可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式:手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

     

     

    工作條件

     供電  ~ 380V  三相五線制

     功率  根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置  

     冷卻水循環(huán) 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

     水壓  1.5 ~ 2.5×10^5Pa

     制冷量  根據(jù)扇熱量配置  

     水溫  18~25℃  

     氣動(dòng)部件供氣壓力  0.5~0.7MPa  

     質(zhì)量流量控制器供氣壓力  0.05~0.2MPa  

     工作環(huán)境溫度  10℃~40℃  

     工作濕度  ≤50%

     

    設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

    -基片托架:根據(jù)供件大小配置。

    -基片加熱器溫度:根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置,溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。

    -基片架公轉(zhuǎn)速度 :2 ~100 轉(zhuǎn) / 分鐘,可控可調(diào);基片自轉(zhuǎn)速度:2 ~20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

    -基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

    -靶面到基片距離: 30 ~ 140mm 可調(diào)。

     -Φ2 ~Φ3 英寸平面圓形靶 2 ~ 3 支,配氣動(dòng)靶控板,靶可擺頭調(diào)角度。

    -鍍膜室的極限真空:6X10-5Pa,恢復(fù)工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?/p>

    -設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤10Pa。

     

    1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

    咨詢

    購(gòu)買(mǎi)之前,如有問(wèn)題,請(qǐng)向我們咨詢

    提問(wèn):
     

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的相關(guān)同類產(chǎn)品:

    服務(wù)熱線

    4001027270

    功能和特性

    價(jià)格和優(yōu)惠

    微信公眾號(hào)