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廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院是直屬于廣東省科學院的23個骨干科研院所之一,本院主要面向半導體照明創(chuàng)新應用、功率電子器件、新型顯示、先進封裝等領域。本院擁有5000平方米的研發(fā)基地(其中超凈實驗室800平方米),擁有MOCVD、真空鍍膜機等120多臺/套關鍵設備,設備總價值逾1億元。目前已建立材料外延、微納加工、封裝應用、分析測試四大科研平臺,是國內(nèi)少數(shù)擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一,研發(fā)實力雄厚。
廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院微納加工平臺,擁有半導體器件制備工藝研發(fā)所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺面向國內(nèi)外科研機構(gòu)和企業(yè)提供全方位的開放服務,我們將對半導體材料與器件的深入研發(fā)給予全方位支持,為廣大科研單位和企業(yè)提供高品質(zhì)服務。
實驗室內(nèi)景
部分代工工藝介紹
1.設備:光刻機
功能:光刻膠圖形化
1um線寬光刻
2.設備名稱:感應耦合等離子刻蝕機(ICP)
用途:刻蝕GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
GaN深刻蝕:各向異性刻蝕
3.等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
用途:沉積SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
4.設備名稱:低壓化學氣相沉積法(LPCVD)
用途:干氧SiO2,濕法SiO2,SiNx生長,更好的成膜致密性
5.設備名稱:ITO電子束蒸發(fā)臺
用途:蒸發(fā)透明導電薄膜ITO
6.設備名稱:金屬電子束蒸發(fā)臺
用途:蒸發(fā)Ti,Al,Ni,Cr,Pt,Au,Ag、Mo等金屬
7.設備名稱:磁控濺射臺
用途:濺射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜
濺射AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。
8.設備名稱:電阻蒸發(fā)臺
用途:In/AuSn/SAC等低熔點金屬薄膜蒸發(fā)
9.設備名稱:快速退火爐
用途:應用于半導體材料、器件、新材料等快速熱處理
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