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等離子刻蝕

發(fā)表于:2020-04-14  作者:ioptee01  關(guān)注度:528

 聯(lián)系方式:18951907529
能夠刻蝕硅基材料、三五族材料、金屬及化合物材料、二六族、光刻膠和有機(jī)膜等材料。

能夠完成最大8英寸晶圓的刻蝕,刻蝕均勻性在片內(nèi)均勻性優(yōu)于±2%,片間均勻性優(yōu)于±5%,批次重復(fù)性優(yōu)于±3%。
研究院現(xiàn)有三臺(tái)刻蝕設(shè)備:
1.RIE(反應(yīng)離子刻蝕臺(tái)) 魯汶儀器 HAASRODE-R150S 6inch向下兼容(含碎片)
2.ICP(電感耦合等離子刻蝕臺(tái)) 德國(guó)SENTECH 6inch向下兼容 (含碎片)
3.ICP(電感耦合等離子刻蝕臺(tái)) 魯汶儀器 HAASRODE-E200A 8inch向下兼容(含碎片)

圖片1
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圖片3
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