服務(wù)熱線(xiàn)
4001027270
砷化鎵(gallium arsenide),化學(xué)式GaAs,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體,由砷和鎵兩種元素化合而成,外觀(guān)呈亮灰色,具金屬光澤、性脆而硬,是當(dāng)代國(guó)際公認(rèn)的繼"硅(Silicon)"之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線(xiàn)性度良好等優(yōu)越特性,是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。
在光電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面,砷化鎵單晶可被用于制作LD(激光器)、LED(發(fā)光二極管)、光電集成電路(OEIC)、光伏器件等;
在微電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面,可被用于制作MESFET(金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、HEMT(高電子遷移率晶體管)、HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)、IC、微波二極管、Hall器件等。
主要涉及高端軍事電子應(yīng)用、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)、測(cè)試儀器、汽車(chē)電子、激光、照明等領(lǐng)域。作為重要的半導(dǎo)體材料,GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍,用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗,因此在手機(jī)通訊、局域無(wú)線(xiàn)網(wǎng)、GPS和汽車(chē)?yán)走_(dá)等領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
購(gòu)買(mǎi)之前,如有問(wèn)題,請(qǐng)向我們咨詢(xún)