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    通信用半導體激光外延片及光探測外延片

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體原材料-晶片—襯底類-砷化鎵

    庫       存：

    10000

    產       地：

    中國-江蘇省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體原材料-晶片—襯底類-砷化鎵

        通信用半導體激光外延片及光探測外延片
     
       通信用半導體激光外延片及光探測外延片（10G、25G），應用于光通信寬帶網(wǎng)絡基礎設施建設，提供面向光纖到戶、數(shù)據(jù)中心光互連、移動基站等應用場景的關鍵光電芯片材料。

    分類/Category 應用/Application 說明/Description
    InP基半導體光電外延片
    InP based epiwafer    		 FP laser ~1310 nm/~1550 nm/~1650 nm/~2000 nm/~2300 nm
    DFB laser 1270-1630 nm/~2000 nm/~2300 nm
    Avalanche photodiode 1250-1600 nm
    Photodiode 1250-1600 nm/＞2000 nm (InGaAs absorptive layer)
    ＜1400 nm (InGaAsP absorptive layer)
    InAs/InP quantum dot laser 1500-1850 nm
    InAs/InP quantum dot SOA 1500-1850 nm


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