Model GNX200B grinder is a fully automatic continuous downfeed grinding machine. Wafers are handled through the machine by a robot, and load/unload arms. Two different stations are used for wafer cleaning after the final grind station. Chuck speed, grinding wheel, and grind spindle downfeed rate speeds can be used to manipulate grinder throughput, surface finish, and wheel life. A two-point in-process gauge measuring system controls wafer thickness under grind spindles 1 and 2. A three-point grind spindle angle adjustment mechanism is utilized for easily maintaining wafer profile (ttv); with the option a motorized adjustment. The main motors are maintenance free AC servomotors. I/O data, grinding conditions, error messages are clearly visible on the GUI touch screen and downloadable through the computer. All computer logs are automatically saved for 30 days. SECS/GEM communication software is also available. In-line coin-stack, polish, or etch system may be directly connected to the GNX200B. 設(shè)備特點(diǎn)： 1.研削加工技術(shù)：日本機(jī)械學(xué)會(huì)授予岡本標(biāo)準(zhǔn)傳送方式及向下研磨方法技術(shù)獎(jiǎng)。 2.機(jī)械精度的調(diào)整方法：通過主軸進(jìn)行調(diào)整（獨(dú)有專利），因?yàn)榭蛇M(jìn)行原點(diǎn)定位，所以精度調(diào)整相當(dāng)容易；可2處調(diào)節(jié)。 3.標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)方式：齒軸+定位銷進(jìn)行定位，長年使用也不會(huì)發(fā)生位移。 4. 標(biāo)準(zhǔn)潤滑方式：潤滑油及防護(hù)罩，防止進(jìn)入異物造成磨損。 5. 設(shè)備剛性：高剛性，不會(huì)因老化造成精度變化，部件由岡本自產(chǎn)鑄金一體化生產(chǎn)。 設(shè)備指標(biāo)： 1. 晶圓尺寸： 4”、5”、6”、8” 晶圓厚度： 1000μm 2. 研磨方法 向下進(jìn)給式研磨 在線測量厚度控制 3. 操作方法 全自動(dòng)、半自動(dòng)、手動(dòng) 4. 研磨軸單元 軸的數(shù)量 2個(gè)（粗磨和精磨）軸的轉(zhuǎn)速： 0-3600 RPM 軸承： 氣懸浮軸承 AB 150R（Carbon graphite） 軸承冷卻方式： 氣冷（水冷可選） 軸承驅(qū)動(dòng)電機(jī)： 2.2KW，4P 軸承行程： 150mm 軸承快速進(jìn)給： 200mm/min 軸承進(jìn)給速率： 1999μm/min 軸的進(jìn)給電機(jī)：200W，交流伺服電機(jī) 可裝研磨輪：250mm dia 負(fù)載顯示：監(jiān)控操作面板 研磨輪修整：半自動(dòng) 主軸角度調(diào)整：電動(dòng)主軸角度調(diào)整可作為選擇項(xiàng) 5. 步進(jìn)轉(zhuǎn)位工作盤 軸承：靜壓軸承（油膜） 驅(qū)動(dòng)電機(jī)： 0.4KW，交流伺服電機(jī) 6. 工件主軸 軸承 機(jī)械式軸承（可選空壓軸承） 驅(qū)動(dòng)電機(jī)： 0.75KW，交流伺服電機(jī) 7. 真空吸附臺(tái) 數(shù)量： 3個(gè) 尺寸： 4-8寸兼容 材質(zhì)：多孔陶瓷 轉(zhuǎn)速：300rpm 修磨速度設(shè)定： 0-300rpm 工作臺(tái)清洗方法： 去離子水和陶瓷環(huán) 8. 晶圓清洗方法 去離子水及毛刷清洗 甩干及空氣吹干 9. 精度調(diào)整方法 通過主軸調(diào)整 10. 自動(dòng)測定設(shè)備 晶圓厚度測量系統(tǒng)： 在線式雙探針 晶圓厚度顯示范圍： 999um 晶圓厚度分辨率： 0.1um 11. 晶圓傳輸系統(tǒng) 片盒數(shù)量： 2個(gè) 晶圓搬送系統(tǒng)： 1個(gè)機(jī)器人作為上片手臂及下片手臂 尋址： 機(jī)械臂返回晶圓到位置可編程 12. 操作面板 主控制面板： 17寸，顯示研削條件，操作輸入；顯示系統(tǒng)功能條件，監(jiān)控空氣壓力，電流，水流量等 分控制面板： 厚度控制顯示 13. 設(shè)備尺寸及重量 尺寸： 1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 重量： 3900 Kg 14. 真空泵單元 型號(hào)： Kashiyama Industry LEM40U-1 功率： 1.5KW 壓力： 40 Torr (5.3 x 103 Pa) 排氣速度： 40 m3/hour 轉(zhuǎn)速： 3500 rpm 水流量： 5 升/分 15. 工藝指標(biāo) 片內(nèi)厚度差（TTV）： ≤1.5μm 片間厚度差（WTW） ≤±2μm 粗糙度（Ry）： ≤0.13 μm(2000#磨輪) 注：以8寸Si wafer為例，不帶保護(hù)膜情況
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