晶圓凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶圓凸點(diǎn)UBM金屬層制作以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍; 還可用于硅片制造中表層剝離、去除雜質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。
芯片凸點(diǎn)電鍍的典型加工流程
• 目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。
• 焊料凸點(diǎn)制作工藝流程:
• 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→
光刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測(cè)凸點(diǎn)→劃片分割→成品。
• 金凸點(diǎn)制作工藝流程:
• 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測(cè)→成品。
• 一般來說,凸點(diǎn)制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、
錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。