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4001027270
1)該設(shè)備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕工藝設(shè)備
2)采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換,采用多種工藝氣體組合,并擴大了允許的工藝溫度范圍
3)具有最大的工藝靈活性,適用于集成電路、半導(dǎo)體照明、微機電系統(tǒng)、光電子、微電子和微流體技術(shù)
應(yīng)用工藝:
1)低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應(yīng)用于MEMS ,微流體技術(shù)和光子技術(shù)
2)用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
3)GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
4)金屬(Nb, W)刻蝕
主要特點:
1)可處理8 "晶片,也具有小批量( 2"/4"多片)生產(chǎn)能力
2)采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制,其溫度范圍為-20 ° C至50° C
3)用于終端檢測的激光干涉儀器可安裝在設(shè)備上以加強刻蝕控制(可選)
4)6 至12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠(yuǎn)端,遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備
5)氣體通過頂電極上的噴淋頭式進(jìn)氣口進(jìn)入反應(yīng)室
6)工作壓強0.1-1.0torr
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