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系統(tǒng)簡(jiǎn)介
魯汶儀器生產(chǎn)的LCCP-6A型全自動(dòng)RIE刻蝕機(jī)是一臺(tái)實(shí)驗(yàn)室常備通用刻蝕機(jī)。
可通F基氣體刻蝕Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Ge、W、Mo、Ta、石英等。還可通氧氣去除光刻膠和刻蝕有機(jī)膜。
刻蝕工藝全自動(dòng),軟件中包括刻蝕材料的推薦工藝菜單,操作簡(jiǎn)單,重復(fù)性好,經(jīng)久耐用。
刻蝕線寬最小可達(dá)200nm。
刻蝕速率隨材料的不同而異,一般為100~500nm/min。
機(jī)器性能
1、刻蝕速率:100~500nm/min(由被刻蝕材料而定)。
2、刻蝕均勻性:≤±5%(6"片)。
標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型主要配置
1、陽(yáng)極氧化鋁腔室;
2、分子泵、機(jī)械泵高真空機(jī)組;
3、射頻電源帶自動(dòng)匹配器;
4、數(shù)字真空計(jì)和壓力開(kāi)關(guān);
5、氣路系統(tǒng)、數(shù)字流量計(jì)標(biāo)配5套,可定制增減;
6、調(diào)壓閥、高閥、低閥;
7、帶觸摸屏集成工控計(jì)算機(jī),有嚴(yán)格的檢漏、互鎖、報(bào)警等安全措施;
8、具有He背冷和水冷系統(tǒng),可冷卻待加工基片。
案例分析
1. SiO2均勻性(圖1)
l 工藝條件:樣品尺寸 6英寸,CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕時(shí)間35秒、70秒、120秒,通過(guò)薄膜納米孔徑分析儀和臺(tái)階儀分析均勻性分別為±2.4%、±2.6%和±1.7%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品(業(yè)內(nèi)通常為±5%)。
2. Si3N4均勻性(圖2)
l 工藝條件:樣品尺寸 4英寸,CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕時(shí)間40秒、70秒、140秒、280秒,通過(guò)薄膜納米孔徑分析儀和臺(tái)階儀分析均勻性分別為±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品(業(yè)內(nèi)通常為±5%)。
3. 4寸Si均勻性(圖3)
l 工藝條件:CF4等刻蝕氣體
l 硅片測(cè)試時(shí)間為500秒和625秒,測(cè)試均勻性分別為±2.85%和±1.12%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品(業(yè)內(nèi)通常為±5%)。
4. 6寸Si均勻性(圖4)
l 工藝條件:CF4等刻蝕氣體
l 硅片測(cè)試時(shí)間為300秒,測(cè)試均勻性分別為±2.99%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品(業(yè)內(nèi)通常為±5%)。
1. SiN刻蝕陡直度(圖5、圖6)
l 工藝條件:CHF3和CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕線條非常陡直。
2. SiO2刻蝕陡直度 (圖7、 圖8)
l 工藝條件:CHF3和CF4等刻蝕氣體
l 刻蝕線條非常陡直。
江蘇魯汶儀器有限公司是由比利時(shí)魯汶儀器、中科院微電子研究所等共同注資成立。公司總部位于江蘇省邳州市,在比利時(shí)設(shè)有研發(fā)中心及銷售部,在北京和俄羅斯設(shè)有銷售部。公司秉承“以創(chuàng)新為主導(dǎo),客戶信賴為第一”的宗旨,倡導(dǎo)精益求精的工匠精神,為客戶提供性能卓越的半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、材料檢測(cè)等精密設(shè)備及配套技術(shù)服務(wù)。
公司旨在研發(fā)與生產(chǎn)大學(xué)實(shí)驗(yàn)室、研究所及半導(dǎo)體生產(chǎn)線所需儀器設(shè)備,瞄準(zhǔn)定制化市場(chǎng)。主要產(chǎn)品有薄膜材料納米孔徑分析儀、高端平臺(tái)刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕系列設(shè)備、化學(xué)氣相沉積系列設(shè)備、濺射薄膜鍍膜系列設(shè)備、原子層鍍膜系列設(shè)備、濕法清洗刻蝕系列設(shè)備等,公司擁有自主專利技術(shù),核心產(chǎn)品技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先。
公司堅(jiān)持以人為本,技術(shù)團(tuán)隊(duì)囊括諾貝爾獎(jiǎng)獲得者、兩名“千人計(jì)劃”專家,多名國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)域知名教授及高??蒲性核哪贻p技術(shù)骨干。國(guó)際一流的人才團(tuán)隊(duì)為公司保持技術(shù)領(lǐng)先、實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
公司致力于成為全球一流的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,愿與客戶、供應(yīng)商、業(yè)界同仁及投資者共同開(kāi)拓和締造半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的廣闊未來(lái)!
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刻蝕深度與光刻效果、刻蝕材料、選擇比、光刻膠、選擇的氣體等等都有關(guān)系。不能簡(jiǎn)單得來(lái)描述能否刻蝕多深,還要落實(shí)到具體要求上??梢粤袈?lián)系方式,電話溝通
2017-07-25