應(yīng)用

半導(dǎo)體

• 超細(xì)減薄TEM薄片厚度小于15nm，用于進(jìn)行小于14nm工藝節(jié)點(diǎn)的失效分析
• 通過平面去層級(jí)化的手段對(duì)三維集成電路板進(jìn)行失效分析
• 三維集成電路板的原型設(shè)計(jì)和電路修改
• 電子束敏感結(jié)構(gòu)材料的成像，如低電子束能量下的晶體管層，光阻材料等
• 用于獨(dú)特三維結(jié)構(gòu)分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術(shù)
• 通過在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進(jìn)行TEM薄片的原位分析
• 6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗(yàn)及分析
• 無失真的高分辨EBSD
• 集成電路板和薄層測(cè)量下具有開創(chuàng)性及精確的原型設(shè)計(jì)，離子束光刻(IBL)以及失效分析
• 通過結(jié)合FIB技術(shù)及電子束蝕刻(EBL)來進(jìn)行細(xì)小的特殊結(jié)構(gòu)的刻蝕及鍍膜。

材料科學(xué)

• 非導(dǎo)電材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像
• 納米材料如納米管和納米環(huán)的表征
• 通過切片分析進(jìn)行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析
• 通過電子束蝕刻或聚焦離子束誘導(dǎo)沉積的方式進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)如納米盤，觸體和霍爾探針的制造。
• 磁性樣品的成像
• 用于分析磁性材料磁化動(dòng)力學(xué)及其疇壁運(yùn)動(dòng)的自旋電子結(jié)構(gòu)的樣品制備
• 通過TOF-SIMS分析進(jìn)行同位素及具有類似相當(dāng)質(zhì)量的元素種類的鑒別
• 通過TOF-SIMS包括三維重構(gòu)進(jìn)行鋰離子電極的貫穿分析
• 通過元素分布，相分布及晶體取向進(jìn)行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段
• 通過二次離子成像進(jìn)行腐蝕生長(zhǎng)學(xué)的研究
• 特定應(yīng)用下的TEM薄片的樣品制備

生命科學(xué)

• 低電子束能量下生物樣品未鍍膜狀態(tài)的觀察
• 高度集中區(qū)域的高分辨FIB層析成像分析標(biāo)本動(dòng)物嵌入樹脂或植物組織和細(xì)胞的獨(dú)特三維結(jié)構(gòu)信息
• 動(dòng)物和植物組織的超微結(jié)構(gòu)分析的TEM薄片制備
• 亞納米分辨率下的原位TEM樣品觀察
• TOF-MOS的高分辨表面元素分析
• 細(xì)胞形態(tài)學(xué)的研究，組織工程，微生物學(xué)及生物相容性材料的發(fā)展
• 可變壓力模式及易損樣品的冷凍技術(shù)成像
• 光電聯(lián)用顯微鏡
• 全液體生物樣品的Cry-FIB-SEM分析

全球支持

• TESCAN CHINA, Ltd.
• Tescan USA, Inc.
• TESCAN-UK, Ltd.
• TESCAN ORSAY FRANCE S.A.R.L.
• TESCAN BENELUX