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    反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) 科睿設(shè)備

    庫(kù)       存:

    100

    產(chǎn)       地:

    中國(guó)-上海市

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
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    反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) 科睿設(shè)備 設(shè)備商城

    RIE,全稱是Reactive Ion Etching,反應(yīng)離子刻蝕,是一種微電子干法腐蝕工藝。
    RIE是干蝕刻的一種,這種蝕刻的原理是,當(dāng)在平板電極之間施加10~100MHZ的高頻電壓(RF,radio frequency)時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層(ion sheath),在其中放入試樣,離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻,此即為RIE(Reactive Ion Etching)。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面,經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞,而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的,必須對(duì)真空度,氣體流量,離子加速電壓等進(jìn)行最佳調(diào)整,同時(shí),為得到高密度的等離子體,需用磁控管施加磁場(chǎng),以提高加工能力。
    我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng),滿足國(guó)內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。


    深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
    RE系列反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤,柜體為不銹鋼材質(zhì)。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制、從頂端打開(kāi)方便晶片裝載取出,最大可進(jìn)行8英寸直徑樣品實(shí)驗(yàn),帶有兩個(gè)艙門:一個(gè)艙門帶有2英寸視窗,另一個(gè)艙門用于終點(diǎn)探測(cè)及其他診斷。腔體可達(dá)到10-6 Torr壓力或更高,自直流偏置連續(xù)監(jiān)控、最大可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為完全由計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)設(shè)備。
    DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤,設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源,使用500L/秒的渦輪泵,在10-3Torr壓力范圍運(yùn)行。



    RIE 設(shè)備參數(shù):
    鋁材腔體或不銹鋼腔體;
    不銹鋼盒;
    可以刻蝕硅化物(~400 Å /min)或金屬;
    典型硅刻蝕速率 400 Å /min;
    射頻源: 最大12”陽(yáng)極化射頻平板(RF);
    真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr;
    雙刻蝕容量:RIE和等離子刻蝕;
    氣動(dòng)升降蓋;
    手動(dòng)/全自動(dòng)裝卸樣品;
    預(yù)抽真空室;
    電腦控制
    選配ICp源和平臺(tái)的低溫冷卻實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。

    反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配:
    1. 最高700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching);
    2. ICP等離子源,2KW射頻電源及調(diào)諧器;
    3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling);
    4. 終點(diǎn)探測(cè)(End point detection) ;
    5. 蘭繆爾探針;
    6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck);
    7. 附加MFC’s;
    8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器;
    9. 低頻電流源及調(diào)諧器;

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