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CNT高真空CVD系統(tǒng)是一款專業(yè)在沉底材料上生長高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設(shè)備，廣泛應(yīng)用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領(lǐng)域。

高真空CVD系統(tǒng)主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、分子泵機組、自動化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

1、沉底材料可采用銅箔、石墨等；

2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環(huán)境；

3、加熱腔體采用進口陶瓷纖維加熱器，均溫區(qū)650mm、對開式結(jié)構(gòu)；

4、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時間工作；

5、氣路系統(tǒng)采用三路質(zhì)量流量計（可拓展多路）,配預混系統(tǒng)；

6、真空系統(tǒng)采用分子泵機組；

7、控制系統(tǒng)采用10寸觸摸屏加西門子PLC模塊；

8、可選配RF射頻電源模塊;

9、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6

10、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關(guān)的實驗參數(shù)，自動保存實驗參數(shù)，也可采用手動控制.

11、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。

技術(shù)參數(shù)：

1200℃高真空CVD系統(tǒng)（雙溫區(qū)）西尼特