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產品型號 CGO系列
產品描述

高低溫真空探針臺，溫度范圍可選，適用于真空高低溫環(huán)境下樣品測試。

PS：探針臺屬于非標產品，均可根據(jù)客戶需求進行定制。

產品介紹

高低溫真空探針臺

極低溫測試:

因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結在晶圓上，會導致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。

高溫無氧化測試：

當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過度氧化會導致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。

晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調整探針的位置。

整體規(guī)格：

載物Chuck 溫度范圍：4.2K-480K

外置4個定位針臂

探針X-Y-Z三方向移動，行程：25mm，定位精度：10微米

最多可以外置6個定位針臂

載物chuck 最大可到2寸

雙屏蔽chuck高低溫時達到100FA 的測試精度

針臂定位精度可以升級為0.7微米

極限真空到10-8 torr

可以選擇射頻配件做最高67 GHz的射頻測試

可以選擇防震桌

可以選擇超高真空腔體

客戶訂制

溫控規(guī)格:

控溫范圍	4K-480K
控溫精度	0.1K
溫度穩(wěn)定性	4 K + - 0.2 K
	77 K + - 0.1 K
	373 K + - 0.08 K
	473 K + - 0.1 K
	823 K + - 0.2 K(可選)
	973 K + - 1.0K(可選)
常溫到8K冷卻時間:	1小時40分鐘
8K到常溫升溫時間:	1小時30分鐘
從常溫開始的升溫時間	200 ℃ 550℃ 700 ℃
(4 chuck，單位分：秒)	1:00 1:30 2:00
電源	直流
材質	不銹鋼
功率(4chuck)	850W

機械規(guī)格：

針座行程
X軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
Y軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
Z軸方向	25.4mm(1 inch)
	可以選擇50.8mm
移動精度
X軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
Y軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
Z軸方向	10 micron
	可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron
探針可旋轉角度	+-5 度

光學部件規(guī)格：

顯微鏡X-Y軸方向行程	2"*2"
	可以選擇4"*4"
總共放大倍率	240X
	可以選擇更高倍率
真空腔觀察窗口	2 inch
	外部石英材質99%紅外線穿過率
	內部吸收紅外線僅可見光通過
光源	150W可連續(xù)調節(jié) 雙光纖導引

可選附件

防震桌

方形chuck

分子泵組

射頻部件

Chuck可外部移動裝置

客戶定制。

高低溫真空探針臺 CGO系列

應用于半導體行業(yè)：

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數(shù) 量：

價格：

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