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    單片晶圓清洗機 上海那諾

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    100

    產(chǎn)       地:

    中國-上海市

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    單片晶圓清洗機
    SWC-3000兆聲晶圓清洗機:Nano-Master兆聲單晶圓及掩模版清洗機提供高可重復(fù)性、高均勻性及最先進的兆聲清洗。它可以在一個工藝步驟中包含了專利的無損兆聲清洗、化學(xué)試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。

    單片晶圓清洗機概述:

    最新技術(shù)的兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展,對MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了最新的水平,可以幫助用戶獲得最干凈的晶圓片和掩模版。

    NANO-MASTER提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統(tǒng),用于最先進的無損兆聲清洗??梢赃m用于易受損的帶圖案或無圖案的基片,包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到最優(yōu)化的清洗效果,兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的專利技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面,通過分布能量的最大化支持最理想的清洗,同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。

    SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力,這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng),可以最大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力,提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。

    通過聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù),系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升,從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去,而把回附的數(shù)量降到了最低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢,最先進的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆?;馗剑⑶乙虼诵枰嗟娜コ@些顆粒。

    此外,NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除,而無須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達到納米級的顆粒去除。根據(jù)不同的應(yīng)用,某些選配項將會進一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

    SWC系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干。“干進干出” 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以最低的投資和購置成本來實現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成,具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

    NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記,降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜。此外,帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。

    SWC是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備,并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力,并可用于非常廣泛的基片。

    單片晶圓清洗機應(yīng)用:

    • 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片
    • Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗
    • CMP處理后的晶圓片清洗
    • 晶圓框架上的切粒芯片清洗
    • 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗
    • 帶保護膜的分劃版清洗
    • 掩模版空白部位或接觸部位清洗
    • X射線及極紫外掩模版清洗
    • 光學(xué)鏡頭清洗
    • ITO涂覆的顯示面板清洗
    • 兆聲輔助的剝離工藝

    單片晶圓清洗機的特點:

    • 臺式系統(tǒng)
    • 無損兆聲掩模版或晶圓片清洗及旋轉(zhuǎn)甩干
    • 支持12”直徑的圓片或9”x9”方片
    • 微處理機自動控制
    • IR紅外燈

    單片晶圓清洗機選配項:

    • 掩模版或晶圓片夾具
    • PVA軟毛刷清洗
    • 化學(xué)試劑清洗(CDU)
    • 氮氣離子發(fā)生器

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