u主要用途
當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí),產(chǎn)生了過(guò)量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子,由探測(cè)器通過(guò)顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置,通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。
u
性能參數(shù)
a)InGaAs檢測(cè)器,分辨率:320*256 像素;
b)偵測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm - 1700nm
c)像素尺寸:30um x 30um
d)曝光時(shí)間 20ms - 400s
e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x
f)Back side EMMI
u
應(yīng)用范圍
1.P-N接面漏電
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.P-N接面崩潰
4.閂鎖效應(yīng)
5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)