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    包郵 關(guān)注:469

    漏電微光顯微鏡分析儀emmi失效分析電流異常定位

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè):

    半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備-電學(xué)性能測(cè)試-其他

    產(chǎn)品品牌

    ADVANCED

    庫(kù)       存:

    100

    產(chǎn)       地:

    全國(guó)

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:ADVANCED

    型號(hào):

    所屬系列:半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備-電學(xué)性能測(cè)試-其他

     

     

    u主要用途
    當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí),產(chǎn)生了過(guò)量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子,由探測(cè)器通過(guò)顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置,通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。
    u 
    性能參數(shù)
    a)InGaAs檢測(cè)器,分辨率:320*256 像素;
    b)偵測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm - 1700nm
    c)像素尺寸:30um x 30um
    d)曝光時(shí)間 20ms - 400s
    e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x
    f)Back side EMMI
    u
     
    應(yīng)用范圍
     1.P-N接面漏電
     2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
     3.P-N接面崩潰
     4.閂鎖效應(yīng)
     5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)

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