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超高密度等離子體
納米結(jié)構(gòu)損傷小
由于離子能量分布較低,可以實現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。
簡單高速腐蝕
高長徑比MEMS用硅的高速率蝕刻是很容易進行的,無論是使用室溫工藝或光滑側(cè)壁的低溫工藝。
室內(nèi)等離子體等離子體源
平面三螺旋天線(PTSA)源是Sentech高端等離子體加工系統(tǒng)的一個獨特特點。PTSA源產(chǎn)生離子密度高、離子能量分布均勻的等離子體。它具有耦合效率高和良好的點火性能,可加工多種材料和結(jié)構(gòu)。
動態(tài)溫度控制
襯底溫度的設置和蝕刻過程的穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的要求。采用動態(tài)溫度控制的ICP基片電極,結(jié)合He背面冷卻和基片背面溫度傳感,在-150℃到+400℃的大范圍溫度范圍內(nèi),提供了優(yōu)良的工藝條件。
SI 500代表了電感耦合等離子體(ICP)加工在研究和生產(chǎn)上的領(lǐng)先優(yōu)勢。它以PTSA等離子體源、動態(tài)控溫基片電極、全控真空系統(tǒng)、先進的Sentech 控制軟件為基礎(chǔ),采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),為操作SI 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是SI 500的設計特點。
從直徑200毫米的晶圓片到載于載體上的各種基片,都可以在SI 500 ICP蝕刻機中加工。單片真空負荷鎖,工藝條件穩(wěn)定,工藝切換方便。
SI 500 ICP蝕刻機可用于加工多種材料,包括但不限于III-V復合半導體(GaAs、InP、GaN、InSb)、介質(zhì)、石英、玻璃、硅、硅化合物(SiC、SiGe)和金屬。
Sentech 提供不同的自動化水平,從真空盒式磁帶加載到一個過程室,多達六個端口集群,具有不同的蝕刻和沉積模塊,目標是高靈活性或高吞吐量。SI 500也可以作為集群配置上的進程模塊使用。
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