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該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。
具有工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學(xué),光子學(xué),微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù),PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。
主要特點(diǎn)
· 可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預(yù)制和試生產(chǎn)的能力
· 選擇單晶片/批處理或盒式進(jìn)樣,采用真空進(jìn)樣室。 該P(yáng)lasmalabSystem100可以集成到一個(gè)集群系統(tǒng)中,采用中央機(jī)械手傳送晶片,生產(chǎn)工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C
· 用于終端檢測(cè)的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強(qiáng)刻蝕控制
· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠(yuǎn)端,遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備
工藝
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備的例子:
· 低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應(yīng)用于MEMS ,微流體技術(shù)和光子技術(shù)
· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
· GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
· 高品質(zhì),高速率SiO2沉積,應(yīng)用于光子器件
· 金屬(Nb, W)刻蝕
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